Cientistas da IBM Research demonstraram uma nova tecnologia de memória que pode escrever e armazenar dados de forma 100 vezes mais rápida do que a flash.
A tecnologia, relativamente nova, é chamada PCM (phase-change memory). Ela pode armazenar múltiplos bits por células durante longo período e tempo, e, até agora, sua retenção de dados só havia sido demonstrada em apenas um bit por célula – jamais em múltiplos, como a IBM conseguiu.
Os cientistas conseguiram a retenção de bits a longo prazo armazenados em uma rede de 200 mil células do chip PCM. O dispositivos foi fabricado por pesquisadores nos Estados Unidos e Suíça e, há 5 meses sendo testado, já apresenta uma grande nível de confiabilidade.
A PCM não perde os dados quando a energia é cortada e é muito durável: aguenta 10 milhões de ciclos de escrita, comparados aos convencionais 30 mil do flash corporativo e 3 mil para o flash de computadores para usuário final. Por sua velocidade, ela permite ao computador dar o boot instantaneamente, além de abrir portas para a criação de memórias mais duráveis e baratas para celulares, aplicações na nuvem e até mesmo sistemas mais robustos, como armazenamento de dados em empresas.
Há tempos os pesquisadores vêm buscando uma memória universal, não volátil, com performance superior à do flash. Se tudo correr bem com as pesquisas da PCM, a IBM estima que ela poderá ser comercializada em até 5 anos.
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